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目前，第四代基于全橋逆變的雙極輸出技術(shù)已被國(guó)內(nèi)50%的微弧氧化設(shè)備廠家普遍采用。但在大規(guī)模生產(chǎn)如汽車零件和3C外殼中，微弧氧化過程大部分時(shí)間為微弧放電階段，電流密度2A/dm2～10A/dm2之間，膜層處理時(shí)間雖然很短，但單線效率低，裝機(jī)容量過大，制約了大批量生產(chǎn)的使用。如汽車輪轂生產(chǎn)線，單線裝機(jī)容量超過500KW，但每小時(shí)處理數(shù)量只有25個(gè)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足前工序需求。另外國(guó)內(nèi)大部分廠家的微弧氧化設(shè)備，制備的膜層致密性不夠，防腐蝕能力在800-1000小時(shí)之間，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大不到軍工和特殊環(huán)境、新材料制備的要求。因此我司根據(jù)多年軍工電源技術(shù)背景，研發(fā)了第六代定制型微弧氧化電源。
1. 低能耗超窄脈沖微弧氧化設(shè)備
國(guó)內(nèi)常規(guī)廠家的微弧電源只有10-80%的占空比，從而導(dǎo)致電源能耗高，放電精度不高。而該電源低至2%，
該電源的先進(jìn)性：
1. 具備第四代電源的所有精度和工藝參數(shù)指標(biāo)
2. 具備第五代電源的并聯(lián)優(yōu)點(diǎn)，低耗電、低故障率。
3. 特別適合鎂合金著色加工及復(fù)雜腔體加工，不起渣，不燒損。
4. 可做導(dǎo)電微弧氧化。
2. 高頻高壓脈沖微弧氧化設(shè)備
國(guó)內(nèi)常規(guī)廠家的微弧電源只有750V的額定電壓，從而導(dǎo)致微弧氧化膜層致密度不夠，耐電壓不高。
而該電源電壓可到1500V，頻率根據(jù)客戶需要可到10KHZ，該電源的先進(jìn)性：
1. 具備第四代電源的所有精度和工藝參數(shù)指標(biāo)
2. 該電源不能并聯(lián)，
3. 特別適合耐電壓的膜層和高耐腐蝕的膜層（鋁合金：中性鹽霧≧2000H、劃痕鹽霧≧800H、硬度>600Hv、耐擊穿電壓>1200V）
3. 超大功率微弧氧化設(shè)備
國(guó)內(nèi)常規(guī)廠家的微弧電源因?yàn)镮GBT的容量限制，一般最多做到300KW，從而導(dǎo)致做大產(chǎn)品大批量時(shí)效率不高。
而該電源可做到最大800KW，該電源的先進(jìn)性：
1. 具備第四代電源的所有精度和工藝參數(shù)指標(biāo)
2. 該電源為并聯(lián)模式，每臺(tái)100A，
3. 特別適合大產(chǎn)品大批量
4. 超精密微弧氧化設(shè)備
國(guó)內(nèi)常規(guī)廠家的微弧電源因?yàn)殡姎庠群筒杉答佀俾实扔绊�，一般膜層厚度�?-100微米。
而該電源可做到0.2-5微米，該電源的先進(jìn)性：
1. 顯示精度和采集精度為0.1A和0.1V，占空比2-10%，電壓0-1000V，最大平均電流1-5A。
2. 該電源為普通模式， 恒流，
3. 特別適合微納產(chǎn)品的新材料制備
國(guó)外設(shè)備界面 裝配車間
注明:第5代并聯(lián)疊加微弧氧化設(shè)備和第6代電源結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案我們都已申請(qǐng)發(fā)明專利,客戶可通過檢索專利網(wǎng)站等進(jìn)行鑒別！
國(guó)內(nèi)僅此一家，僅此一家！ |
